【康沃真空網(wǎng)】上海滬港建設(shè)咨詢有限公司受招標人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進行國際公開競爭性招標，于2022-11-28在中國國際招標網(wǎng)公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。
1、招標條件
項目概況:復旦大學離子束刻蝕采購
資金到位或資金來源落實情況:已到位已落實
項目已具備招標條件的說明:已具備招標條件
2、招標內(nèi)容
招標項目編號:2000-224HG2206009
招標項目名稱:復旦大學離子束刻蝕采購
項目實施地點:中國上海市
招標產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 離子束刻蝕 | 1 | 3、 招標人對設(shè)備的要求和技術(shù)規(guī)格 3.1 等離子體刻蝕機 3.1.1.★主要技術(shù)指標 1. 樣品尺寸不小于6英寸； 2. 本底真空優(yōu)于2x10-4Pa（25min），＜2x10-5Pa（極限）； 3. 控溫范圍：要求0~300℃，精度±1℃或更優(yōu)； 3.1.2 其它技術(shù)指標 1、真空腔體 (1) 雙腔體真空結(jié)構(gòu)：要求刻蝕工藝腔體及進樣室腔體； (2) 要求刻蝕腔體材料為金屬鋁； (3) 要求刻蝕腔體留有觀察窗1個，預留刻蝕窗數(shù)量≥1； (4) 要求刻蝕腔體頂部留有激光終點監(jiān)測裝置接口； 2、真空系統(tǒng) (1) 工藝腔體配備進口分子泵一臺，要求抽速不低于1600 l/s； (2) 要求進樣室使用步進電機馬達移動手臂，自動進出片。 ★3、等離子體源 (1) 射頻發(fā)生器：要求功率≤600瓦，達到13.56MHz，帶自動匹配單元； (2) ICP源發(fā)生器：要求功率≤3千瓦，達到2.0MHz，帶自動匹配單元； (3) ICP源直徑：要求300mm。 (4) ICP源要求采用螺線圈式構(gòu)型； 4、氣路系統(tǒng) (1) 要求配備不少于8路獨立的工藝氣體送氣氣路SF6,Ar,O2,CH4,H2,Cl2,N2,BCl3. (2) 要求配備不少于4路無毒氣管及4路有毒氣管及相對應的質(zhì)量流量計； (3) 要求最大容納8路氣體的氣路柜或更優(yōu)，具備排風接口。 5、控制系統(tǒng) (1) 要求配有計算機控制系統(tǒng)； (2) 要求配有不同用戶權(quán)限級別的設(shè)備控制軟件； (3) 要求設(shè)備控制配備齊全的軟硬件聯(lián)鎖功能，可以檢測相關(guān)部件的運行狀態(tài)。 6、下電極 (1) 下電極材質(zhì)：要求Al，尺寸不小于240mm，采用冷水機制冷和電加熱控溫，要求溫度區(qū)間-0？C~400？C或更優(yōu)。 (2) 處理能力：要求一次處理一片； (3) 固定方式：要求機械卡盤，配備4、6英寸石英卡盤各1套； (4) 要求具備氦氣背冷功能，采用流體冷卻進行溫度控制； 7、要求ALE刻蝕模塊1套；（原子層低損傷刻蝕） 8、要求深度控制：可深度控制，包含終點偵測功能 9、工作條件 (1) 設(shè)備采用中國電壓標準：要求達到380V/三相或220V/單相。 (2) 要求設(shè)備適用于千級潔凈室內(nèi)安裝使用。 3.1.3工藝驗收 1、樣品規(guī)格：要求不少于4英寸或以下規(guī)格的掩模樣片 2、測試儀器：要求有臺階儀。 3、測試方案：要求在適當工藝條件下進行ICP刻蝕，通過測量一定時間內(nèi)刻蝕前后材料的厚度變化。 4、計算生長刻蝕速率、選擇比以及刻蝕均勻性。 (1) 均勻性計算：要求通過臺階儀等測量刻蝕深度值進行片內(nèi)和片間均勻性的計算。 (2) 片內(nèi)均勻性： （單片內(nèi)取上、中、下、左、右五點計算）。 (3) 片間重復性： （連續(xù)3個批次，取每個批次的片內(nèi)平均值為一個數(shù)據(jù)點計算）。 ★3.1.4工藝指標 Process Reference 1.CMT etch 2.CdTe etch 3.InSb etch 4.ZnO etch Etched material CMT CdTe InSb ZnO Substrate specification Si or GaAs Si or GaAs Si or GaAs Si or GaAs Wafer size 4” 4” or 6” 4” 4” or 6” Feature size / type >10um line or space >10um line or space >10um line or space >10um line or space Assumed etch depth 3-10um < 3um <3um <1um Etch rate >200nm/min >100nm/min >300nm/min >100nm/min Selectivity to mask >5:1 (PR) >3:1(PR) >3:1(SiOx or SiNx) 1:1(PR) Profile >80° >80° >80° >80° Uniformity (within wafer) <±5% <±5% <±5% <±5% Run-to-run <±5% <±5% <±5% <±5% 3.2 原子層刻蝕處理設(shè)備 3.2.1 ★主要技術(shù)指標 1 樣品尺寸不小于6英寸； 2 本底真空優(yōu)于2x10-4Pa（25min），＜2x10-5Pa（極限）； 3 控溫范圍：0~300℃，精度優(yōu)于±1℃； 3.2.2 其它技術(shù)指標： 1、真空腔體 (1) 雙腔體真空結(jié)構(gòu)：要求刻蝕工藝腔體及進樣室腔體； (2) 要求刻蝕腔體材料為金屬鋁； (3) 要求刻蝕腔體留有觀察窗1個，預留刻蝕窗數(shù)量≥1； (4) 刻蝕腔體頂部留有激光終點監(jiān)測裝置接口； 2、真空系統(tǒng) (1) 工藝腔體配備進口分子泵一臺，要求最大抽速不低于1600 l/s； (2) 進樣室使用步進電機馬達移動手臂，要求自動進出片。 ★ 3、等離子體源 (1) 射頻發(fā)生器：要求功率≤600瓦，要求13.56MHz，帶自動匹配單元； (2) ICP源發(fā)生器：要求功率≤3千瓦，要求2.0MHz，帶自動匹配單元； (3) ICP源直徑：要求300mm。 (4) ICP源要求采用螺線圈式構(gòu)型； 4、氣路系統(tǒng) (1) 要求不少于8路獨立的工藝氣體送氣氣路SF6,Ar,O2,CH4,H2,Cl2,N2,BCl3. (2) 要求不少于4路無毒氣管及4路有毒氣管及相對應的質(zhì)量流量計； (3) 要求配置最大容納不少于8路氣體的氣路柜，具備排風接口。 5、控制系統(tǒng) (1) 要求配有計算機控制系統(tǒng)； (2) 要求配有不同用戶權(quán)限級別的設(shè)備控制軟件； (3) 設(shè)備控制配備齊全的軟硬件聯(lián)鎖功能，應能檢測相關(guān)部件的運行狀態(tài)。 6、下電極 (1) 下電極材質(zhì)：要求為Al，尺寸不小于240mm，可采用冷水機制冷和電加熱控溫，要求溫度區(qū)間-0？C~400？C或更優(yōu)。 (2) 處理能力：要求一次處理一片； (3) 固定方式：要求機械卡盤，配備不少于4、6英寸石英卡盤各1套； (4) 要求具備氦氣背冷功能，不少于采用流體冷卻進行溫度控制； 7、 深度控制：要求具有終點偵測功能 8、 要求ALE刻蝕模塊1套；（原子層低損傷刻蝕） 9、工作條件 (1) 要求設(shè)備采用中國電壓標準：不少于380V/三相或220V/單相，達到50Hz。 (2) 要求設(shè)備適用于千級潔凈室內(nèi)安裝使用。 3.2.3工藝驗收 1、樣品規(guī)格：要求達到4英寸或以下規(guī)格的掩模樣片測試儀器。 2、測試方案：在適當工藝條件下進行ICP刻蝕，通過測量一定時間內(nèi)刻蝕前后材料的厚度變化。 3、計算生長刻蝕速率、選擇比以及刻蝕均勻性。 (1) 均勻性計算：通過臺階儀等測量刻蝕深度值進行片內(nèi)和片間均勻性的計算。 (2) 片內(nèi)均勻性： （單片內(nèi)取上、中、下、左、右五點計算）。 (3) 片間重復性： （連續(xù)3個批次，取每個批次的片內(nèi)平均值為一個數(shù)據(jù)點計算）。 ★3.2.4、工藝指標 Process Reference CMT etch Etched material CMT Substrate specification Si or GaAs Wafer size 4” Feature size / type >10um line or space Assumed etch depth 3-10um Etch rate >200nm/min Selectivity to mask >5:1 (PR) Profile >80° Uniformity (within wafer) <±5% Run-to-run <±5% |
3、投標人資格要求
投標人應具備的資格或業(yè)績:1）投標人應為符合《中華人民共和國招標投標法》規(guī)定的獨立法人或其他組織；
2）投標人應為投標產(chǎn)品的制造商或其合法代理商，代理商投標應提供投標產(chǎn)品的制造商針對本項目的正式授權(quán)；
3）投標人須在投標截止期之前在國家商務(wù)部認可的機電產(chǎn)品招標投標電子交易平臺（以下簡稱機電產(chǎn)品交易平臺，網(wǎng)址為：http://www.chinabidding.com）上完成有效注冊；
4）本項目不允許聯(lián)合體投標。
是否接受聯(lián)合體投標:不接受
未領(lǐng)購招標文件是否可以參加投標:不可以
4、招標文件的獲取
招標文件領(lǐng)購開始時間:2022-11-28
招標文件領(lǐng)購結(jié)束時間:2022-12-05
是否在線售賣標書:否
獲取招標文件方式:現(xiàn)場領(lǐng)購
招標文件領(lǐng)購地點：郵件報名 hugangzhaobiao@yeah.net
招標文件售價:免費
其他說明:有興趣的潛在投標人應于2022年11月28日起至2022年12月5日16:00止（北京時間），通過郵箱hugangzhaobiao@yeah.net，并電話聯(lián)系招標代理機構(gòu)（聯(lián)系電話：17740887667）獲取采購文件，逾期不再辦理。電子招標文件售價零元。未按規(guī)定從招標機構(gòu)處獲取招標文件的潛在投標人將不得參加投標。
5、投標文件的遞交
投標截止時間（開標時間）:2022-12-20 10:00
投標文件送達地點:上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）7樓會議室
開標地點:上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）7樓會議室
6、投標人在投標前應在必聯(lián)網(wǎng)（https://www.ebnew.com）或機電產(chǎn)品招標投標電子交易平臺（https://www.chinabidding.com）完成注冊及信息核驗。評標結(jié)果將在必聯(lián)網(wǎng)和中國國際招標網(wǎng)公示。
7、聯(lián)系方式
招標人:復旦大學
地址:中國上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
聯(lián)系人:卜老師
聯(lián)系方式:86-21-65645530
招標代理機構(gòu):上海滬港建設(shè)咨詢有限公司
地址:上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）
聯(lián)系人:戚老師、陳老師
聯(lián)系方式:17811909079、17740887667
8、匯款方式:
招標代理機構(gòu)開戶銀行(人民幣):
招標代理機構(gòu)開戶銀行(美元):
賬號(人民幣):
賬號(美元):
