單晶及多晶CVD金剛石沉積基片競價公告
| 項目名稱 | 單晶及多晶CVD金剛石沉積基片 | 項目編號 | TYLGJJCG2022-0245 |
| 項目編號 | TYLGJJCG2022-0245 | ||
| 公告發(fā)布日期 | 2022/11/25 16:47 | 公告截止日期 | 2022/11/28 16:47 |
| 公告截止日期 | 2022/11/28 16:47 | ||
| 采購單位 | 太原理工大學(xué) | 付款條款 | 貨到驗(yàn)收合格后一次性支付全款 |
| 付款條款 | 貨到驗(yàn)收合格后一次性支付全款 | ||
| 聯(lián)系人 | 中標(biāo)后在我參與的項目中查看 | 聯(lián)系手機(jī) | 中標(biāo)后在我參與的項目中查看 |
| 聯(lián)系手機(jī) | 中標(biāo)后在我參與的項目中查看 | ||
| 是否本地化服務(wù) | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 采購預(yù)算 | ￥109,200.00 | ||
| 送貨/施工/服務(wù)期限 | 合同生效之日起7日內(nèi) | ||
| 送貨/施工/服務(wù)地址 | 太原理工大學(xué)明向校區(qū)科技樓一層超硬材料實(shí)驗(yàn)室 | ||
采購清單
1
| 采購內(nèi)容 | 是否進(jìn)口 | 計量單位 | 采購數(shù)量 | 售后服務(wù) | |
| 金剛石籽晶 | 否 | 片 | 10 | 質(zhì)保期1年。保證產(chǎn)品質(zhì)量，用戶檢測不合格，無理由免費(fèi)更換產(chǎn)品。 | |
| 品牌及型號 | 不限定品牌型號 | ||||
| 技術(shù)參數(shù)要求 | 尺寸：7 mm×7 mm×1 mm；尺寸公差：±0.05 mm； 晶面定向精度：±1°；拋光情況：雙面拋光，表面粗糙度Ra＜1 nm；顏色：D色；凈度：VVS1；上下表面晶面取向：<100>；邊緣取向：<110>；邊緣：激光切割；N含量＜5 ppb；內(nèi)部無微裂紋。 | ||||
采購清單
2
| 采購內(nèi)容 | 是否進(jìn)口 | 計量單位 | 采購數(shù)量 | 售后服務(wù) | |
| 金剛石籽晶 | 否 | 片 | 10 | 質(zhì)保期1年。保證產(chǎn)品質(zhì)量，用戶檢測不合格，無理由免費(fèi)更換產(chǎn)品。 | |
| 品牌及型號 | 不限定品牌型號 | ||||
| 技術(shù)參數(shù)要求 | 尺寸：6 mm×6 mm×1 mm；尺寸公差：±0.05 mm； 晶面定向精度：±1°；拋光情況：雙面拋光，表面粗糙度Ra＜1 nm；顏色：D色；凈度：VVS1；上下表面晶面取向：<100>；邊緣取向：<110>；邊緣：激光切割；N含量＜5 ppb；內(nèi)部無微裂紋。 | ||||
采購清單
3
| 采購內(nèi)容 | 是否進(jìn)口 | 計量單位 | 采購數(shù)量 | 售后服務(wù) | |
| 金剛石籽晶 | 否 | 片 | 10 | 質(zhì)保期1年。保證產(chǎn)品質(zhì)量，用戶檢測不合格，無理由免費(fèi)更換產(chǎn)品。 | |
| 品牌及型號 | 不限定品牌型號 | ||||
| 技術(shù)參數(shù)要求 | 尺寸：5 mm×5 mm×1 mm；尺寸公差：±0.05 mm； 晶面定向精度：±1°；拋光情況：雙面拋光，表面粗糙度Ra＜1 nm；顏色：D色；凈度：VVS1；上下表面晶面取向：<100>；邊緣取向：<110>；邊緣：激光切割；N含量＜5 ppb；內(nèi)部無微裂紋。 | ||||
采購清單
4
| 采購內(nèi)容 | 是否進(jìn)口 | 計量單位 | 采購數(shù)量 | 售后服務(wù) | |
| 硅基片 | 否 | 片 | 10 | 質(zhì)保期1年。保證產(chǎn)品質(zhì)量，用戶檢測不合格，無理由免費(fèi)更換產(chǎn)品。 | |
| 品牌及型號 | 不限定品牌型號 | ||||
| 技術(shù)參數(shù)要求 | 單晶硅圓片。尺寸：Φ180 mm×5 mm；尺寸公差：直徑公差±0.005 mm；厚度公差±0.025 mm；純度99.999%；晶體取向：<111>或<100>；晶面定向精度：±0.5°；邊緣定向精度：≤2°；類型：N或P型；電阻率： ＞103 Ωcm；拋光情況：單面拋光；拋光面表面粗糙度：Ra~5 A；未拋光面表面粗糙度：Ra≤1 μm；面形：N≤5；平整度：＜0.5 μm；表面處理：鉬金屬化處理，膜層組織結(jié)構(gòu)均勻連續(xù)，厚度10±0.05 μm劃痕測試結(jié)合強(qiáng)度大于50 N。包裝規(guī)格：100級超凈袋真空包裝。 | ||||
采購清單
5
| 采購內(nèi)容 | 是否進(jìn)口 | 計量單位 | 采購數(shù)量 | 售后服務(wù) | |
| 硅基片 | 否 | 片 | 10 | 質(zhì)保期1年。保證產(chǎn)品質(zhì)量，用戶檢測不合格，無理由免費(fèi)更換產(chǎn)品。 | |
| 品牌及型號 | 不限定品牌型號 | ||||
| 技術(shù)參數(shù)要求 | 單晶硅圓片。尺寸：Φ150 mm×5 mm；尺寸公差：直徑公差±0.005 mm；厚度公差±0.025 mm；純度99.999%；晶體取向：<111>或<100>；晶面定向精度：±0.5°；邊緣定向精度：≤2°；類型：N或P型；電阻率： ＞103 Ωcm；拋光情況：單面拋光；拋光面表面粗糙度：Ra~5 A；未拋光面表面粗糙度：Ra≤1 μm；面形：N≤5；平整度：＜0.5 μm；表面處理：鉬金屬化處理，膜層組織結(jié)構(gòu)均勻連續(xù)，厚度10±0.05 μm劃痕測試結(jié)合強(qiáng)度大于50 N。包裝規(guī)格：100級超凈袋真空包裝。 | ||||
