濺射工藝監(jiān)控器 (SPM)
離子源在該離子源中,形成區(qū)域 (7) 與工藝室直接相連。分析儀配備了小型分子泵站 (1),該泵站也將陰極空間 (5) 抽空至大約10-5 hPa。電子通過小孔從低壓側(cè)射入形成區(qū)域 (7),以便電離氣體。由此形成的離子通過低壓側(cè)的小開口被萃取到質(zhì)量過濾器。該離子源為濺射工藝中檢查氣體組成提供兩個關(guān)鍵優(yōu)勢。一方面,分析在高達三個數(shù)量級以上的離子源壓力下進行;即:真空室中可以承受較高的工藝壓力。另一方面,熱金屬絲不與濺射工藝直接接觸。這避免了熱陰極在敏感工藝中造成的污染。
標(biāo)準(zhǔn)的 PrismaPlus 離子源
這里描述的所有離子源均通過電子碰撞方式進行電離。
離子源可分為兩類:
■ 如果待分析氣體所處的高真空 < 1 · 10-4 hPa 時,則使用開放式離子源。
■ 封閉式離子源用作分析應(yīng)用中,例如,在只提供少量樣氣或減少質(zhì)譜儀真空系統(tǒng)的背景影響時。
封閉式離子源與差動排氣系統(tǒng)(Figure 6.13)結(jié)合使用,以便分析壓力較高的氣體。