電子振蕩型離子源
在一個簡單的平行電子束的電子碰撞源中，離子源的電離效率主要取決于電離區(qū)內(nèi)電子軌跡的平均長度。文獻(xiàn)[214]介紹了一個簡單的電子振蕩型離子源如圖12-11所示，對陰極處于和陰極相同的電位。從陰極發(fā)射的電子在陰極和對陰極之間往返振蕩，增加了電子軌跡長度，提高了離子源的電離效率。
UTI-100B四極質(zhì)譜計采用了類似B-A規(guī)型無磁電子振蕩離子源（圖12-12），電子由柵極加速后，通過電離區(qū)再被對面的反射極拒斥返轉(zhuǎn)，在它損失之前要在電離區(qū)內(nèi)往返振蕩多次。由于增加了電子的有效軌跡長度，所以離子源的電離效率較高。又因為這種離子源通常是在較大的發(fā)射電子流下工作的（SmA友右），因此，在電子空間電荷的作用下，離子源軸線上的電位就會降低，使得離子集中到源的軸線上，有利于離子引出。因而這種離子源的靈敏度要比普通尼爾源高一個數(shù)量級。
