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真空納米半導(dǎo)體薄膜制備
標(biāo)簽: 半導(dǎo)體
2014-09-16  閱讀

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納米半導(dǎo)體薄膜的制備技術(shù)很多。理論上任何能夠制備多晶或單晶半導(dǎo)體薄膜的技術(shù)都可以用于納米半導(dǎo)體薄膜的制備,但對(duì)相應(yīng)的制備技術(shù)提出了更為嚴(yán)格的要求:①表面潔凈;②晶粒形狀及粒徑、粒度分布可控,防止粒子團(tuán)聚,能更好地控制膜厚;③有較好的熱穩(wěn)定性;④易于收集,產(chǎn)率高。以晶粒形狀及粒徑、粒度分布的控制為例,常通過控制襯底生長(zhǎng)溫度或成膜后退火溫度與時(shí)間來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然,