20世紀(jì)60年代以來，國外已開始將氣體放電、電子柬、加壓擴(kuò)散等技術(shù)應(yīng)用到金屬．陶瓷封接工藝中，產(chǎn)生了一些新的工藝方法。如蒸發(fā)金屬化、濺射金屬化、離子涂覆、電子束焊、擴(kuò)散焊等。這些方法擴(kuò)大了選用材料的范圍，同時(shí)提高了封接件的氣密性和機(jī)械強(qiáng)度，并能適應(yīng)多方面的需要（例如宇航、原子能等技術(shù)對金屬一陶瓷封接工藝的要求）
　　
　?、僬舭l(fā)金屬化。蒸發(fā)金屬化是利用真空鍍膜機(jī)在陶瓷件上蒸鍍金屬膜，從而實(shí)現(xiàn)金屬化的一種方法。所鍍金屬膜的厚度是在蒸鍍陶瓷件時(shí)利用“樣板電阻”來控制的。“樣板電阻”是一個(gè)長20mm、寬10mm、厚2mm的玻璃片，玻璃片的兩端蒸鍍上長5mm的銀層，在銀層面上包以鋁箔，用導(dǎo)線引至鍍膜機(jī)外，再用歐姆表測量在玻璃片上蒸鍍金屬層的電阻值，則可換算出鍍層厚度。例如蒸鍍鈦時(shí)，鈦層電阻值被控制在500C7,～20Q范圍內(nèi)，而鉬的電阻值則被控制在30fl—lOfl范圍內(nèi)。在蒸鍍瓷件時(shí)，先將經(jīng)研磨清洗好的95%A1203瓷件包上鋁箔，只露出需要金屬化的部位，放人鍍膜機(jī)真空室內(nèi)，當(dāng)真空度達(dá)到4×10-3Pa咐，將瓷件預(yù)熱至300℃—400℃，保溫10min，先開始蒸鈦，再蒸鉬形成金屬膜，然后在鈦、鉬金屬層上電鍍一層厚度為2tjm的鎳，z*后在真空爐中用厚度為0.Smm無氧銅片與瓷件進(jìn)行封接（采用AgCu28焊料）。這種封接件具有良好的氣密性。蒸發(fā)金屬化工藝還可用于95%氧化鋁瓷與無氧銅、可伐件的平封、夾封與套封。蒸發(fā)金屬化的優(yōu)點(diǎn)是金屬化溫度低(300℃—400℃)，陶瓷沒有變形、破裂的危險(xiǎn)。能適應(yīng)于各種不同的介質(zhì)，如能對99%A1203瓷、99% Be0瓷、石英等介質(zhì)進(jìn)行金屬化，并獲得良好的氣密性。這種封接法較鉬錳法、活性法有更高的封接強(qiáng)度。缺點(diǎn)是蒸鍍難熔金屬有困難。
　　
　　②濺射金屬化。金屬化的步驟是，在真空容器中充以一定壓強(qiáng)的氬氣，在電極間加直流電壓，形成輝光放電，利用氣體放電的正離子轟擊靶面，使靶面材料濺射到陶瓷（或其它襯底材料）上形成金屬化膜，從而實(shí)現(xiàn)金屬化。圖15-17是三極濺射裝置的示意圖。
　　
　　文獻(xiàn)[316]對濺射金屬化的工藝過程作了詳細(xì)介紹。這種工藝的大致過程是先將系統(tǒng)抽到7×10-4Pa，關(guān)閉擴(kuò)散泵閥門，通入干燥純氬真空度為(1～3)×10-lPa，加熱鎢陰極，在100V的陽極電匿下，使陽極和陰極之間產(chǎn)生放電，待放電后陽極電壓自動(dòng)降至40V—50V時(shí)，再控制陰極的發(fā)射電流，使陽極電流達(dá)到3.4A～4A。安裝在鐘罩外的線圈是用來產(chǎn)生5×10-3T的磁場，使等離子體壓縮成直徑為8cm—10cm的圓柱，用來“擦洗”陶瓷表面。然后用1000V的電壓先對靶面濺射5min，以獲得“清潔”的陶瓷表面。再移開遮擋陶瓷的活動(dòng)擋板，使陶瓷沉積所濺射的金屬，直至達(dá)到所要求的金屬膜厚度。靶面的支撐桿可旋轉(zhuǎn)，使陶瓷對準(zhǔn)不同的濺射金屬，依次沉積所需的金屬薄膜。沉積到瓷件上的第一層金屬化材料為鉬、鎢、鈦、鉭或鉻，第二層為銅、鎳、金或銀。在濺射過程中，陶瓷的溫度為150℃～200℃，故不存在炸裂和變形問題。陶瓷金屬化以后可在氫爐或真空爐中進(jìn)行封接。濺射金屬化工藝操作簡便，可適用于任何種類的陶瓷，特別是氧化鈹陶瓷。這種封接方法能獲得氣密性良好的封接件。
　　
　　與蒸涂法相比，濺射法能在較低的溫度下沉積高熔點(diǎn)金屬膜，并且能在大面積上制作厚度均勻、與基底結(jié)合牢固的沉積膜。濺射法還具有能沉積合金及氧化物等薄膜的優(yōu)點(diǎn)，除此之外還可以獲得“原子清潔”的金屬表面，對真空技術(shù)來說是一種非常有用的方法。
　　
　?、垭x子涂覆。離子淙覆的設(shè)備與濺射裝置相似，但該設(shè)備的陰極為安放陶瓷的支架，陽極為蒸發(fā)源的熱絲，熱絲材料為待涂覆的金屬材料。當(dāng)陰、陽極之間加直流高壓(2kV—5kV)后，在電極間形成氬的等離子體。用氬的正離子轟擊工件表面凈化基底，然后加熱熱絲，使金屬蒸發(fā)，在電場加速下金屬蒸氣的正離子轟擊工件表面形成牢固的涂覆層。圖15-18是離子涂覆裝置示意圖。