分子束外延設(shè)備是在超高真空條件下，一個或多個熱分子束與晶體表面起反應(yīng)而外延生長超薄單晶膜的綜合性設(shè)備。為了獲得性能良好的超薄單晶膜，應(yīng)避免在生長過程中襯底表面及熱分子束受到污染，這就要求在清潔的超高真空環(huán)境下進行膜的生長，生長前的本底壓力一般地要求為10-8Pa的真空度，而且系統(tǒng)的殘余氣氛中的碳氫化合物、水、一氧化碳和二氧化碳等成分要很少。同時設(shè)備上配有各種表面分析儀器，如俄歇譜儀就要求在清潔的超高真空下工作等等。所以到目前為止，國內(nèi)外研究生產(chǎn)的分子束外延設(shè)備均都采用清潔的超高真空系統(tǒng)。
　　
　　為在分子束外延中得到清潔的超高真空環(huán)境，除對所用的不銹鋼、陶瓷等材料選擇以外，尤其應(yīng)注意熱分子束源材料的純度和分子束爐的材料及其純度的選擇。