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此裝置簡(jiǎn)圖如圖10-29所示。裝置采用射頻感應(yīng)加熱，反應(yīng)在基片與感應(yīng)體附近發(fā)生，管壁沉積很少，硅膜生長(zhǎng)速率為1μm/min—3μm/min。 ...
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