化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置構(gòu)成
化學(xué)氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、供反應(yīng)氣體系統(tǒng)、反應(yīng)后氣體處理系統(tǒng)。 反應(yīng)室設(shè)計時s*要問題是保證薄膜的均勻性。因化學(xué)反應(yīng)在基片上發(fā)生，因而還需注意：①應(yīng)為反應(yīng)提供充足的氣體；②抑制氣相中發(fā)生反應(yīng)；③使反應(yīng)后生成的氣體迅速離升。從結(jié)構(gòu)上來講，反應(yīng)室有水平型、垂直型、水平與垂直結(jié)合的圓筒型。不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室見表10-15。
