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多弧離子鍍技術的核心是電弧蒸發(fā)源，這種新型蒸發(fā)源是一種冷陰極電弧放電型自蒸發(fā)自離化式固體蒸發(fā)源，它與其它傳統離子鍍蒸發(fā)源相比具有以下顯著特點： ①沉積速率高，對TiN來說可達100nm/s～1000nm/s; ②離化率高，一般可到60%～80%： ?、垭x子能量高： ?、芄ぷ?/p>
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