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電弧蒸發(fā)源和多弧離子鍍概述

  多弧離子鍍技術(shù)的核心是電弧蒸發(fā)源,這種新型蒸發(fā)源是一種冷陰極電弧放電型自蒸發(fā)自離化式固體蒸發(fā)源,它與其它傳統(tǒng)離子鍍蒸發(fā)源相比具有以下顯著特點(diǎn):
  
 ?、俪练e速率高,對(duì)TiN來(lái)說(shuō)可達(dá)100nm/s~1000nm/s;
  
 ?、陔x化率高,一般可到60%~80%:
  
 ?、垭x子能量高:
  
 ?、芄ぷ?a href="http://www.92slsf.cn" target="_blank" class="keylink">真空范圍寬;
  
  ⑤固體蒸發(fā)源,靶面形狀、尺寸、位置可變;
  
 ?、弈又旅苄愿撸瑥?qiáng)度與耐久性好。
  
  這種蒸發(fā)源既可蒸鍍金屬材料、合金材料,也可以進(jìn)行反離子鍍。它可以鍍制TiN、TiC等超硬膜,Al、Ag、Cu、Cr、Y等高溫低溫耐腐蝕膜,不銹鋼、黃銅、鎳鉻等裝飾保護(hù)膜,WC類金剛石等特硬膜,在機(jī)械、化工、冶金、輕工、電子、采礦地質(zhì)、國(guó)防等領(lǐng)域具有廣泛的用途。當(dāng)前z*突出的應(yīng)用就是刀具氮化鈦超硬涂層。
  
  電弧蒸發(fā)源的工作機(jī)理是冷陰極自持弧光放電,其物理基礎(chǔ)是場(chǎng)致發(fā)射。電弧蒸發(fā)源的典型結(jié)構(gòu)示意圖如圖10-24所示。被鍍材料接陰極,真空室接陽(yáng)極,真空室抽至較高真空,當(dāng)引發(fā)電極啟動(dòng)器接觸拉開時(shí),陰極與陽(yáng)極之間即形成穩(wěn)定的電弧放電,陰極表面布滿飛速游動(dòng)的陰極斑、陰極斑的直徑約為1μm~2μm,閃耀的光斑直徑約為10μm,移動(dòng)速度為幾十米每秒,電流密度105A/cm²~107A/cm²,極間電壓降至20V~40V。陰極熱斑的正前方是高密度的金屬等離子體,其中電子向陽(yáng)極快速運(yùn)動(dòng),離子“相對(duì)靜止”在鍍膜空間,陰極斑點(diǎn)前面正離子的堆積形成正空間電荷,在陰極近表面形成高強(qiáng)電場(chǎng)105V/cm—106V/cm,克服陰極中的勢(shì)壘,產(chǎn)生強(qiáng)大的電子發(fā)射,以維持放電,而部分離子對(duì)陰極的轟擊,使陰極斑點(diǎn)局部繼續(xù)迅速高溫蒸發(fā),并在空間迅速離化,使這種陰極斑變成微點(diǎn)蒸發(fā)源。這些微點(diǎn)蒸發(fā)源在磁場(chǎng)和屏蔽絕緣的作用下束縛在陰極靶正面的范圍內(nèi),無(wú)規(guī)則地移動(dòng),從而形成大面積均勻的蒸發(fā)源?;“叩拇笮∮呻娏髡{(diào)節(jié)控剖,弧斑的運(yùn)動(dòng)則由磁場(chǎng)、屏蔽、陰極材質(zhì)、表面形狀等確定。
電弧蒸發(fā)源和多弧離子鍍概述
  
  以若干個(gè)電弧蒸發(fā)源為核心的離子鍍?cè)O(shè)備,稱之為多弧離子鍍,或稱電弧鍍,或弧鍍。其原理示意圖如圖10-25所示。它具有以下優(yōu)點(diǎn):
  
  ①膜層性能優(yōu)良。全離化金屬等離子體對(duì)工件轟擊加熱,轟擊、清洗、沉積鍍膜,一弧三用,膜層結(jié)合牢固,結(jié)構(gòu)致密。
  
 ?、陔x子鍍膜工藝范圍寬??梢栽谳^低溫度(200℃)或較高真空下進(jìn)行離子鍍和反應(yīng)鍍。
  
  ③鍍膜空間大。固體蒸發(fā)源安置靈活,工件裝卡更換簡(jiǎn)單,不另加加熱器。
  
 ?、茉O(shè)備簡(jiǎn)單、工作周期短、生產(chǎn)效率高,適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)。
標(biāo)簽: 電弧蒸發(fā)離子概述  

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