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真空鍍膜:射頻放電離子鍍

  1973年日本村山洋研制成了射頻放電離子鍍(RFIP)裝置,其原理圖如圖10-22所示。此裝置真空度為10-1Pa~10-2Pa,蒸鍍物質(zhì)原子離化度為10%,加熱用的頻率線圈高7cm,用真空鍍膜:射頻放電離子鍍3銅絲繞制,共7圈。射頻源頻率為13.56MHz或18MHz,功率1kW~2kW,直流偏壓0~1500V。

真空鍍膜:射頻放電離子鍍
  
  此裝置分三個(gè)區(qū)域:以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū);以高頻線圈為中心的離化區(qū);以基板為中心的離子加速區(qū)。三者有機(jī)地結(jié)合在一起,可以鍍金屬膜、化合物膜及合金膜。由于鍍膜時(shí)真空度較高,使鍍層針孔少、膜質(zhì)均勻致密、純度高,對(duì)制作超導(dǎo)膜及光學(xué)膜特別有利。
  
  射頻放電離子鍍優(yōu)點(diǎn):①蒸發(fā)、離化、加速三種過(guò)程分別獨(dú)立控制,離化靠射頻激勵(lì),而不是靠加速直流電場(chǎng),基板周?chē)划a(chǎn)生陰極暗區(qū)。②工作壓力低,成膜質(zhì)量好。③基板溫度較低,較容易控制。其不足是:由于真空度高,繞射性較差;要求頻率源與電極之間需有匹配箱,并隨鍍膜參數(shù)變化而調(diào)節(jié);蒸發(fā)源與頻率源之間易產(chǎn)生干擾;射頻對(duì)人體有害,需加防護(hù)。
標(biāo)簽: 真空鍍膜射頻放電離子鍍  

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