矩形平面靶簡圖如圖10-12所示。靶面處于正交的電磁場中,磁場方向與靶面陰極平行,形成環(huán)形磁場。真空室通入高純氬氣,使真空室保持10-3Pa—10-2Pa的真空度,在陽極和陰極(靶)加一定的直流電壓后,便產(chǎn)生放電。放電產(chǎn)生的氬離子轟擊陽極(靶),濺射靶材沉積到基上,形成薄膜。
靶面發(fā)生的二次電子在正交的電磁場作用下沿環(huán)形磁場(跑道)作擺線運動,達些電子運動路徑長,增加了與氣體分子磁撞的機會,使氣體的電離概率增大,進而增大了濺射速率。
磁控靶對磁場的要求是:①要構成封閉的環(huán)形跑道(圖10-12);②水平場強要達到2×10-2T—5×10-2T,并能在此范圍內進行調節(jié)。
圖10-13所示的矩形平面磁控靶,靶面尺寸為120mm×240mm。這種靶的磁體可以用永磁體(例如鍶鐵氧體和鋁鎳鈷),也可以使用電磁鐵。
這種結構靶的特點是采用了極靴,并使極靴與靶材直接接觸。
圖10-13所示的極靴上布置了六塊鍶鐵氧體。每塊尺寸的長×寬×高為80mm×20mm×17mm(“高”為磁化方向)。鍶鐵氧體的磁感應強度3.8×10-1T,矯頑力為2.1×105A/m。按照這種布置方案,當靶材厚度為8mm時,靶面的z*大水平場強可達2.9×10-2T。
矩形靶結構簡單,通用性很強,適于大面積鍍膜。
真空室矩形平面磁控濺射
2014-05-16 06:37:00 閱讀()
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