矩形平面靶簡圖如圖10-12所示。靶面處于正交的電磁場中，磁場方向與靶面陰極平行，形成環(huán)形磁場。真空室通入高純氬氣，使真空室保持10-3Pa—10-2Pa的真空度，在陽極和陰極（靶）加一定的直流電壓后，便產(chǎn)生放電。放電產(chǎn)生的氬離子轟擊陽極（靶），濺射靶材沉積到基上，形成薄膜。

靶面發(fā)生的二次電子在正交的電磁場作用下沿環(huán)形磁場（跑道）作擺線運動，達些電子運動路徑長，增加了與氣體分子磁撞的機會，使氣體的電離概率增大，進而增大了濺射速率。

磁控靶對磁場的要求是：①要構成封閉的環(huán)形跑道（圖10-12）；②水平場強要達到2×10-2T—5×10-2T，并能在此范圍內進行調節(jié)。

圖10-13所示的矩形平面磁控靶，靶面尺寸為120mm×240mm。這種靶的磁體可以用永磁體（例如鍶鐵氧體和鋁鎳鈷），也可以使用電磁鐵。

這種結構靶的特點是采用了極靴，并使極靴與靶材直接接觸。

圖10-13所示的極靴上布置了六塊鍶鐵氧體。每塊尺寸的長×寬×高為80mm×20mm×17mm(“高”為磁化方向)。鍶鐵氧體的磁感應強度3.8×10-1T，矯頑力為2.1×105A/m。按照這種布置方案，當靶材厚度為8mm時，靶面的z*大水平場強可達2.9×10-2T。

矩形靶結構簡單，通用性很強，適于大面積鍍膜。