真空濺射鍍膜的概述
2014-05-14 06:32:00 閱讀()
由濺射現(xiàn)象發(fā)展到濺射鍍膜經(jīng)歷了相當(dāng)長的發(fā)展過程,早在1853年法拉第做氣體放電試驗時,就發(fā)現(xiàn)了放電管壁沉積金屬現(xiàn)象,當(dāng)時只把它作為一種有害現(xiàn)象,研究如何避免。直到1902年Goldsrein才證明了沉積金屬是正離子轟擊陰極濺射出來的產(chǎn)物。大約到20世紀60年代,貝爾實驗室利用濺射方法制取了鉭膜,從而濺射膜開始應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中,1965年IBM公司用射頻濺射方法實現(xiàn)了在絕緣體基片上鍍膜,同時出現(xiàn)了同軸圓柱磁控濺射裝置和三級濺射裝置。特別要提出的是1974年J.chapin研制成功了平面磁控濺射裝置,實現(xiàn)了高速低溫濺射鍍膜,使濺射鍍蔚然一新,與其它類鍍膜相比具有明顯的優(yōu)越性,它可在任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。
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