【康沃真空網(wǎng)】業(yè)內(nèi)最新消息，昨天韓國(guó)總統(tǒng)府辦公室正式宣布，允許三星電子和 SK 海力士無(wú)期限向其位于中國(guó)的工廠供應(yīng)來(lái)自美國(guó)的芯片設(shè)備，無(wú)需美國(guó)單獨(dú)批準(zhǔn)。
也就是說(shuō)，以后無(wú)需向美國(guó)當(dāng)局申請(qǐng)豁免許可，三星電子和 SK 海力士即可以任意向其中國(guó)的任何工廠供應(yīng)含美國(guó)技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備，而之前則是美國(guó)的設(shè)備帶入中國(guó)都需要獲得許可。
韓國(guó)總統(tǒng)經(jīng)濟(jì)首席秘書(shū)崔尚木稱：“韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在中國(guó)運(yùn)營(yíng)和投資的不確定性已經(jīng)大大緩解了，它們將能夠冷靜地尋求長(zhǎng)期的全球經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略。”
據(jù)悉，美國(guó)已經(jīng)將該決定通知了三星電子和 SK 海力士，表明已經(jīng)正式生效。與此同時(shí)美國(guó)商務(wù)部正在更新其 “經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶（VEU）” 名單，一旦列入該清單，就無(wú)需單獨(dú)獲得出口許可。
去年 10 月，美國(guó)出臺(tái)一系列出口管制措施以限制中國(guó)獲取或生產(chǎn)高端芯片，當(dāng)時(shí)三星和 SK 海力士獲得了一年豁免期，本月到期。
盡管美國(guó)允許韓國(guó)芯片企業(yè)在中國(guó)的工廠進(jìn)口美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備延長(zhǎng)一年許可豁免，但是限制措施對(duì)三星電子和 SK 海力士的長(zhǎng)期戰(zhàn)略部署產(chǎn)生了巨大沖擊，因此中美之間的貿(mào)易和科技限制引起韓國(guó)企業(yè)的擔(dān)憂。
韓國(guó)經(jīng)濟(jì)高度依賴半導(dǎo)體領(lǐng)域，全球第一和第二大存儲(chǔ)芯片制造商三星和 SK 海力士都在中國(guó)的芯片設(shè)施投入數(shù)十億巨資，中國(guó)也是韓國(guó)芯片的大客戶。
據(jù)悉，三星電子大約 40% 的 NAND 閃存芯片在其位于中國(guó)西安的工廠生產(chǎn)，SK 海力士大約 40% 的 DRAM 芯片在無(wú)錫生產(chǎn)，20% 的 NAND 閃存芯片在大連生產(chǎn)。
業(yè)內(nèi)分析機(jī)構(gòu) TrendForce 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至今年 6 月底上述兩家半導(dǎo)體生產(chǎn)商合計(jì)控制著全球近 70% 的 DRAM 市場(chǎng)和 50% 的 NAND 閃存市場(chǎng)。
美國(guó)對(duì)華實(shí)施芯片出口限制后，韓國(guó)當(dāng)局一直設(shè)法減輕韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到的沖擊，而今天美國(guó)的徹底豁免許可對(duì)三星電子和 SK 海力士來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一個(gè)巨大的好消息。
SK 海力士回應(yīng)稱：“我們歡迎美國(guó)政府延長(zhǎng)出口管制法規(guī)豁免的決定，我們相信這一決定將有助于全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定?！?/p>
三星也在一份聲明中表示：“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)相關(guān)的不確定性已大大消除......將繼續(xù)密切與所有相關(guān)政府保持密切合作，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維護(hù)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈?！?/p>
此外，上個(gè)月美國(guó)還取締了在美國(guó)建廠并獲得聯(lián)邦資金的半導(dǎo)體公司在中國(guó)擴(kuò)張的嚴(yán)格限制，取消了在中國(guó)先進(jìn)產(chǎn)能投資 10 萬(wàn)美元的支出上限，這將有效阻止企業(yè)獲得聯(lián)邦資金來(lái)增加 28nm 制程以上芯片的產(chǎn)量。
值得一提的是，近日三星為提振 NAND 閃存芯片市場(chǎng)行情，計(jì)劃將于年底之前將 NAND 芯片價(jià)格上調(diào)至少 10%，最快將于本月開(kāi)始陸續(xù)漲價(jià)。
內(nèi)分析人士認(rèn)為，年底前 DRAM、NAND 的合約價(jià)將會(huì)迎來(lái)一波大漲，因?yàn)槿菍?huì)從本月新簽的訂單開(kāi)始提升價(jià)格。
去年下半年開(kāi)始，高通脹和全球經(jīng)濟(jì)惡化導(dǎo)致芯片市場(chǎng)需求萎靡，全球存儲(chǔ)芯片迎來(lái)低谷潮價(jià)格一路下跌，去年開(kāi)始 SK 海力士帶頭宣布減產(chǎn)，三星隨后跟進(jìn)并于 4 月宣布擴(kuò)大減產(chǎn)幅度。
今年第一季度三星的 DRAM 芯片銷售 40.1 億美金，同比爆降 61.2%，NAND 芯片銷售降至 29.9 億美金，同比直接腰斬。
由于 NAND 芯片利潤(rùn)比 DRAM 芯片低，因此三星近來(lái)積極推動(dòng)價(jià)格正常化。三星之前表示要在明年第二季度達(dá)成 NAND 芯片事業(yè)收支打平，因此決定在減產(chǎn)之余還要調(diào)漲芯片價(jià)格。
業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為，目前 DRAM 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)以 DDR5 漲勢(shì)最為明顯，主要是庫(kù)存較少。盡管 DDR4 庫(kù)存水位偏高，但它是 DRAM 的減產(chǎn)重災(zāi)區(qū)，而 DDR5 則需擴(kuò)大生產(chǎn)，預(yù)計(jì)明年 DDR5 銷售比重將提升至 30%～40%。
PS：國(guó)內(nèi)內(nèi)存行業(yè)真崛起了，美國(guó)同意三星和SK海力士向其中國(guó)工廠提供設(shè)備。主要還是國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)已經(jīng)很優(yōu)秀了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是全球最早突破300層閃存芯片的公司。
