氮化硅薄膜及制備方法概述
氮化硅薄膜及制備方法概述
氮化硅薄膜是一種重要的精細(xì)陶瓷薄膜，具有優(yōu)良的光學(xué)性能、絕緣耐壓性能、機(jī)械性能以及鈍化性能等，它不僅在光電子、微電子等大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體器件制造中有著廣泛的應(yīng)用，而且在材料表面改性領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用前景。氮化硅薄膜具有很高的硬度 ，硬度可達(dá)3240HV0. 01，氮化硅薄膜還具有好的耐磨性和抗劃傷能力。氮化硅薄膜的摩擦系數(shù)很小，隨著摩擦的不斷進(jìn)行,摩擦面越來(lái)越光潔，阻力越來(lái)越小,形成自潤(rùn)滑效應(yīng)，膜與膜之間的摩擦系數(shù)僅為0.05 ?！ ?br /> 氮化硅薄膜的制備方法有多種，其中z*常用的化學(xué)氣相沉積(CVD) 法,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 法 ，離子束沉積和反應(yīng)濺射等物理氣相沉積法等。濺射技術(shù)制備氮化硅薄膜時(shí),工作氣壓和薄膜的含氮量會(huì)對(duì)薄膜的磨損性能產(chǎn)生影響 。改變氮?dú)夥謮河绊懙璞∧こ煞旨靶阅?。非平衡磁控濺射是物理氣相沉積法的一種，非平衡磁控濺射技術(shù)拓寬了等離子體區(qū)域,提高了沉積基片附近的等離子體密度,利用離子轟擊對(duì)基體和生長(zhǎng)薄膜的作用,可以制備致密度高、膜/ 基結(jié)合力較好的高質(zhì)量薄膜。本文采用非平衡磁控濺射技術(shù)，在不同氮?dú)夥謮合轮苽淞瞬煌Y(jié)構(gòu)的氮化硅薄膜,研究了氮?dú)夥謮簩?duì)氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響。
氮化硅薄膜是一種重要的精細(xì)陶瓷薄膜，具有優(yōu)良的光學(xué)性能、絕緣耐壓性能、機(jī)械性能以及鈍化性能等，它不僅在光電子、微電子等大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體器件制造中有著廣泛的應(yīng)用，而且在材料表面改性領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用前景。氮化硅薄膜具有很高的硬度 ，硬度可達(dá)3240HV0. 01，氮化硅薄膜還具有好的耐磨性和抗劃傷能力。氮化硅薄膜的摩擦系數(shù)很小，隨著摩擦的不斷進(jìn)行,摩擦面越來(lái)越光潔，阻力越來(lái)越小,形成自潤(rùn)滑效應(yīng)，膜與膜之間的摩擦系數(shù)僅為0.05 ?！ ?br /> 氮化硅薄膜的制備方法有多種，其中z*常用的化學(xué)氣相沉積(CVD) 法,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 法 ，離子束沉積和反應(yīng)濺射等物理氣相沉積法等。濺射技術(shù)制備氮化硅薄膜時(shí),工作氣壓和薄膜的含氮量會(huì)對(duì)薄膜的磨損性能產(chǎn)生影響 。改變氮?dú)夥謮河绊懙璞∧こ煞旨靶阅?。非平衡磁控濺射是物理氣相沉積法的一種，非平衡磁控濺射技術(shù)拓寬了等離子體區(qū)域,提高了沉積基片附近的等離子體密度,利用離子轟擊對(duì)基體和生長(zhǎng)薄膜的作用,可以制備致密度高、膜/ 基結(jié)合力較好的高質(zhì)量薄膜。本文采用非平衡磁控濺射技術(shù)，在不同氮?dú)夥謮合轮苽淞瞬煌Y(jié)構(gòu)的氮化硅薄膜,研究了氮?dú)夥謮簩?duì)氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響。
