空間環(huán)境模擬設備的超高真空獲得技術(shù)
章學華 張俊峰 姜春 葉海峰(中國電子科技集團公司第十六研究所,安徽萬瑞冷電科技有限公司 合肥 230043)
摘要:本文詳細介紹了一套空間環(huán)境模擬設備的設計,特別是其中超高真空設備的選型及超高真空獲得技術(shù)。
該環(huán)模設備提供冷背景、熱真空、太陽輻射模擬、特殊介質(zhì)注入等多種環(huán)境模擬功能。
其主要技術(shù)指標如下:
真空容器尺寸
直徑Φ2000×3330㎜(圓柱筒長2500㎜) 真空度 6×10-6Pa 液氮熱沉 90K±5K 熱沉表面輻射率 >0.88 熱沉有效內(nèi)徑 Φ1800㎜ 冷屏溫度 20K±2.5K,
制冷量>90W 冷屏表面輻射率 >0.98 冷屏尺寸 1000×1000㎜2
文中論述了其設計思想、主要結(jié)構(gòu)、性能指標,特別是超高真空設備選型及計算,潔凈超高真空獲得、測量和環(huán)模設備制作過程中應注意事項等。
關(guān)鍵詞:環(huán)境模擬 真空技術(shù)