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實驗室真空鍍膜設(shè)備有哪些特點?
標(biāo)簽: 實驗室真空鍍膜
2024-10-23  閱讀

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康沃真空網(wǎng)】物理氣相沉積(PVD)技術(shù)出現(xiàn)于二十世紀(jì)七十年代末,制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數(shù)、很好的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點。

    PVD是指在真空條件下利用高溫蒸發(fā)或高能粒子等物理方法轟擊靶材,使靶材表面原子“蒸發(fā)”并沉積在襯底表面,沉積速率高,一般適用于各類金屬、非金屬、化合物膜層的平面沉積。      按照沉積時物理機(jī)制的差別,物理氣相沉積一般分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。

    ▲ 真空蒸發(fā)鍍膜工作原理示意圖 PVD基本原理可分三個工藝步驟:

    ? 鍍料的氣化:即使鍍料蒸發(fā),升華或被濺射,也就是通過鍍料的氣化源;

    ? 鍍料原子、分子或離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后,產(chǎn)生多種反應(yīng);

    ? 鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。近年來,薄膜技術(shù)和薄膜材料的發(fā)展突飛猛進(jìn)、成果顯著,在原有基礎(chǔ)上,相繼出現(xiàn)了離子束增強(qiáng)沉積技術(shù)、電火花沉積技術(shù)、電子束物理氣相沉積技術(shù)和多層噴射沉積技術(shù)等。與此同時,以PVD工藝為核心的真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用也越來越廣泛,尤其在科研行業(yè),真空鍍膜設(shè)備已成為鍍膜工藝開發(fā)、材料研究、納米結(jié)構(gòu)、膜層性能研究等尖端鍍膜領(lǐng)域不可或缺的硬件設(shè)施。相比于工業(yè)應(yīng)用的真空鍍膜生產(chǎn)線,針對科研領(lǐng)域的實驗室真空鍍膜設(shè)備外形更美觀、結(jié)構(gòu)更緊湊,而且具有性能多樣、操作簡單、運行可靠等特點。

   許多高端設(shè)備可實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射鍍膜、電弧鍍膜等工藝的自由選擇。其特點主要如下:

   ? 緊湊靈活:設(shè)計緊湊,占地面積小,便于在實驗室或小型生產(chǎn)線等空間有限的環(huán)境中使用。同時,其靈活性也意味著它可以更容易地適應(yīng)不同的工作環(huán)境和場景。

   ? 操作簡單:通常具有更簡單的操作界面和更少的操作步驟,操作人員能夠更快地掌握使用方法。同時,其簡單的結(jié)構(gòu)也降低了故障率,減少了維修和保養(yǎng)的麻煩。

   ? 應(yīng)用廣泛:在科研領(lǐng)域,可用于制備各種材料的薄膜,以研究材料的表面性能、光學(xué)性能、電學(xué)性能等。另外,實驗室真空鍍膜設(shè)備更加注重結(jié)果的精確性,所以高精度控制系統(tǒng)必不可少,以精確控制蒸鍍過程中的各種參數(shù),如溫度、真空度、蒸發(fā)速率等,從而確保薄膜制備的質(zhì)量和穩(wěn)定性。