【康沃真空網(wǎng)】真空鍍膜技術(shù)簡(jiǎn)稱PVD，在真空條件下，采用物理方法，使材料源表面氣化成原子、分子或離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。真空鍍膜設(shè)備鍍膜技術(shù)主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍?nèi)箢?。而蒸發(fā)鍍膜技術(shù)也分為三種，電阻蒸發(fā)，電子束蒸發(fā)，感應(yīng)加熱蒸發(fā)。三種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，各自有各自的特點(diǎn)，下面小編為大家詳細(xì)介紹一下這三種鍍膜技術(shù)各自的優(yōu)缺點(diǎn)，希望能幫助到大家：
電阻蒸發(fā)鍍膜技術(shù)采用電阻加熱蒸發(fā)源的蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，一般用于蒸發(fā)低熔點(diǎn)材料，如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等；加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。奇優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。缺點(diǎn)材料易與坩堝反應(yīng)，影響薄膜純度，不能蒸鍍高熔點(diǎn)的介電薄膜；蒸發(fā)率低。
電子束蒸發(fā)，利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達(dá)104-109w/cm2，可達(dá)到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點(diǎn)的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。
電子束加熱的蒸鍍?cè)从兄睒屝碗娮訕尯蚭型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行轟擊和加熱。其優(yōu)點(diǎn)可蒸發(fā)任何材料，薄膜純度高，直接作用于材料表面，熱效率高。缺點(diǎn)電子槍結(jié)構(gòu)復(fù)雜，造價(jià)高，化合物沉積時(shí)易分解，化學(xué)比失調(diào)。
感應(yīng)加熱蒸發(fā)，利用高頻電磁場(chǎng)感應(yīng)加熱，使材料汽化蒸發(fā)在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)蒸發(fā)速率大，可比電阻蒸發(fā)源大10倍左右，蒸發(fā)源的溫度穩(wěn)定，不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象，坩堝溫度較低，坩堝材料對(duì)膜導(dǎo)污染較少。其缺點(diǎn)蒸發(fā)裝置必須屏蔽，造價(jià)高、設(shè)備復(fù)雜。
發(fā)真空鍍膜設(shè)備這三種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)雖然原理都是一樣，都是通過(guò)高溫蒸發(fā)材質(zhì)汽化的方式鍍膜，但是所應(yīng)用的環(huán)境卻不一樣，鍍的膜材和基材也有不同的要求。
磁控濺射鍍膜優(yōu)勢(shì)介紹
真空鍍膜設(shè)備鍍膜技術(shù)大方向來(lái)分有三種，蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，離子鍍膜技術(shù)，磁控濺射鍍膜設(shè)備，每種鍍膜技術(shù)都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)，鍍制不同的基材，不同的靶材，選擇的鍍膜技術(shù)是不相同的。下面小編為大家詳細(xì)介紹一下磁控濺射真空鍍膜設(shè)備技術(shù)，希望能幫助到大家：
磁控濺射工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來(lái)沉積這些材料的膜層，并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機(jī)械性能等，因此市面上鍍制膜層，對(duì)膜層要求比較高，幾乎都采用磁控濺射鍍膜技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。磁控濺射鍍膜技術(shù)有一下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì)
沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。
功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓，通常為600V，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi)。
濺射能量低。磁控靶電壓施加較低，磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。
基片溫度低。可利用陽(yáng)極導(dǎo)走放電時(shí)產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來(lái)完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。
磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場(chǎng)不均所導(dǎo)致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低（僅20％-30％的利用率）。因此，想要提高靶材利用率，需要通過(guò)一定手段將磁場(chǎng)分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動(dòng)，也可提高靶材利用率。
復(fù)合靶?？芍谱鲝?fù)合靶鍍合金膜，目前，采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、（Tb-Dy）-Fe以及Gb-Co合金膜。復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種，分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶，其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。
應(yīng)用范圍廣。磁控濺射工藝可沉積元素有很多，常見(jiàn)的有：Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。
真空鍍膜設(shè)備磁控鍍膜技術(shù)是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用最廣泛的一種鍍膜工藝，膜層類型多樣化，膜層厚度可控性強(qiáng)，膜層附著力高，致密性好，表面光潔度也是非常靚麗。
