基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法研究
提出了基于數(shù)字模擬的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法。氮化硅薄膜的主要影響因子和質(zhì)量特性參數(shù)通過領(lǐng)域知識(shí)和專家意見先期獲得，通過單因素物理試驗(yàn)獲得工藝參數(shù)和質(zhì)量特性參數(shù)之間的關(guān)系，通過數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)獲得z*佳的工藝參數(shù)。考慮到PECVD沉積氮化硅薄膜實(shí)驗(yàn)所需的時(shí)間和費(fèi)用，基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄...
