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本文分別采用電子束蒸發(fā)和磁控濺射的方法在n 型摻雜(n-Si：H)膜上沉積了不同摻雜量和不同厚度的摻Al 的ZnO(ZnO：Al)薄膜。通過I-V 測試儀測試了兩種方法制備的ZnO：Al 薄膜與n-Si：H膜的接觸特性，結果顯示對于電子束蒸發(fā)制備的ZnO：Al 薄膜，當摻雜濃度為2.5%時n-a-Si：H/ZnO：Al的接觸電阻z*小，在厚度變化不大...
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