能量過(guò)濾磁控濺射技術(shù)室溫制備ITO膜的光電特性及其應(yīng)用
利用在直流反應(yīng)磁控濺射(DMS) 技術(shù)基礎(chǔ)上改進(jìn)的能量過(guò)濾磁控濺射( EFMS) 技術(shù)制備了ITO薄膜，并將其應(yīng)用于頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件(TOLED) 的陽(yáng)極。利用X 射線衍射、原子力顯微鏡、橢圓偏振光譜儀和四探針方塊電阻測(cè)試儀分析了薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)和電學(xué)特性，利用自搭建的電壓-電流密度-發(fā)光效率測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量了TOLED 器件的發(fā)光效率。...
