以聚苯乙烯為固態(tài)碳源，拋光銅箔為襯底，通過改變固態(tài)碳源的溫度探索了固態(tài)碳源溫度對雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積法生長石墨烯的影響。樣品采用拉曼散射光譜、紫外-可見分光光度計和掃描電子顯微鏡進(jìn)行了表征。結(jié)果表明，固態(tài)碳源溫度的變化直接影響了氣相碳源濃度，通過控制固態(tài)碳源溫度，可以控制所得石墨烯的層數(shù)。固態(tài)碳源動態(tài)變溫生長能夠在生長的起始階段降低石墨烯形核密度，同時打破晶粒長大時氫氣刻蝕速率與石墨烯生長速率的動態(tài)...
