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固態(tài)碳源溫度對(duì)法CVD生長(zhǎng)石墨烯薄膜影響的研究
標(biāo)簽:
2015-03-25  閱讀

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以聚苯乙烯為固態(tài)碳源,拋光銅箔為襯底,通過(guò)改變固態(tài)碳源的溫度探索了固態(tài)碳源溫度對(duì)雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)石墨烯的影響。樣品采用拉曼散射光譜、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)和掃描電子顯微鏡進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,固態(tài)碳源溫度的變化直接影響了氣相碳源濃度,通過(guò)控制固態(tài)碳源溫度,可以控制所得石墨烯的層數(shù)。固態(tài)碳源動(dòng)態(tài)變溫生長(zhǎng)能夠在生長(zhǎng)的起始階段降低石墨烯形核密度,同時(shí)打破晶粒長(zhǎng)大時(shí)氫氣刻蝕速率與石墨烯生長(zhǎng)速率的動(dòng)態(tài)...