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采用脈沖激光沉積方法在Si(111) 基片上制備了Mg2 Si 薄膜。研究了激光能量密度、退火氣氛及壓強(qiáng)、退火溫度、退火時(shí)間等工藝條件對(duì)Mg2 Si 薄膜生長(zhǎng)的影響。用X 射線衍射儀分析了Mg2Si 薄膜的物相，用原子力顯微鏡、高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡表征了薄膜的形貌。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明: 在激光能量密度為2.36 J /cm2 ，Si(111) 基片上室溫、
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