通過(guò)研究連續(xù)Se 離子束輔助磁控濺射技術(shù)，在柔性聚酰亞胺基底上沉積形成CIS 薄膜的過(guò)程，建立了相應(yīng)的薄膜沉積模型。在此基礎(chǔ)上，以離子注入深度效應(yīng)作為研究對(duì)象，從擴(kuò)散均勻性角度進(jìn)行模擬計(jì)算，并與傳統(tǒng)氣相原子沉積方法進(jìn)行比較。通過(guò)比較分析，計(jì)算出Se 擴(kuò)散均勻性為90% 時(shí)，采用離子束輔助沉積所需的襯底溫度明顯低于氣相原子沉積所需的襯底溫度。
引言
傳...
