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襯底材料對(duì)空心陰極沉積氫化微晶硅薄膜的影響
標(biāo)簽: 真空鍍膜
2014-04-22  閱讀

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  本文中,我們采用空心陰極等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(MHC-PECVD)在玻璃、表面濺射氧化銦錫(ITO)的玻璃(玻璃+ITO)以及表面濺射ITO的聚酰亞胺(PI+ITO) 柔性襯底上沉積氫化微晶硅(μc-Si:H),研究不同襯底材料對(duì)微晶硅薄膜性質(zhì)的影響。我們發(fā)現(xiàn)在PI+ITO 襯底上沉積薄膜的結(jié)晶率(Xc)z*小,且結(jié)晶率z*大值時(shí)的溫度依賴(lài)沉底材料:對(duì)于PI+ITO 襯底來(lái)說(shuō),結(jié)晶率...