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陰極真空電弧FCVA鍍膜技術的特性

  電弧蒸發(fā)沉積法(Arc-evaporation deposition)是對機械工件進行耐磨處理的常用方法。但是,使用此法容易產(chǎn)生顆粒雜質(zhì),膜層的質(zhì)量得不到保證。為了解決這個問題,納峰科技私人有限公司研究出了新的過濾陰極真空電?。‵CVA)鍍膜科技。這一專利技術不僅可以應用于高品質(zhì)非晶四面體碳(ta-C)膜,而且還可鍍金屬、金屬氧化物等其他膜層。成品完全滿足實際生產(chǎn)中各種嚴苛的條件。
  
  在陰極真空電弧鍍膜過程中,陰極電弧發(fā)射等離子束(參雜了宏觀顆粒和中性原子)。電磁過濾彎管負責濾除那些不必要的宏觀顆粒和中性原子,只有那些具有一定能量的離子可以到達基片。這個特別的技術可以產(chǎn)生硬度更高,密度更大,更純凈的薄膜。用FCVA方法鍍出的薄膜:與基片結合力更高;具有良好的光學、化學、電子和機械性能;并且重復性好,完全滿足各種實際生產(chǎn)要求。
  
  除此之外,在鍍膜過程中,基片的表面溫度一般可以保持在70℃以下。因此,可以對塑料或橡膠進行FCVA鍍膜。與傳統(tǒng)方法(比如:化學汽相沉積法,物理汽相沉積法)不同,F(xiàn)CVA技術產(chǎn)生能量穩(wěn)定的電弧和100%純離子束流,能量可以根據(jù)不同的要求精確控制。通過這項科技我們可以生產(chǎn)獨特的ta-C膜,并可產(chǎn)生高品質(zhì)的Al2O3膜。
  
  FCVA技術與其他類似技術相比的5個優(yōu)點:
  
  1.離子束能量可調(diào),產(chǎn)生的薄膜性質(zhì)可以選擇和微調(diào)。因此薄膜與基片的結合力更好,薄膜的各項性質(zhì)更穩(wěn)定。
  
  2.通過等離子掃描專利技術,鍍膜有出眾的均勻性和重復性,并且可以進行大面積鍍膜,這是其他類似技術所達不到的。
  
  3.FCVA技術產(chǎn)生少得多的宏觀顆粒。例如ta-C膜,相較其他類似技術的每平方厘米約103個,F(xiàn)CVA技術的鍍膜每平方厘米僅含有約1個宏觀顆粒。此類鍍膜設備已經(jīng)成功地應用于硬盤滑動磁頭表面鍍膜及其它摩擦機械領域的應用。
  
  4.FCVA技術還包含陽極/陰極區(qū)域復雜的電磁場設置,陰極和陽極尺寸可調(diào),確保輸出等離子為束狀。這點對大面積高沉積率鍍膜尤為重要。
  
  5.FCVA技術是低溫工藝,鍍膜過程可以控制在70°C以下。鍍膜過程中既不需要高溫也不會產(chǎn)生高溫。因此可以應用于各種低溫熔解的基材上,如:塑料,橡膠等。
標簽: 真空  

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